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三星公布1000層V-NAND技術 比16G還小 世界看熱訊

(資料圖片僅供參考)

據了解，三星存儲業務的高級管理人員最近在一個電子工程師協會的夏季會議上宣布，到2030年，V-NAND能夠疊加到1000多層。三星預測，V-NAND的競爭將持續到1000層以上。三星從2013年開始推出24層的V-NAND，十年來已經發展到200多層。 值得一提的是，三星最初推出的V-NAND每個die的容量有128Gb（16GB），通過3D堆疊技術可以實現最多24層die堆疊，也就是說，24層堆疊的總容量將達到384GB。 三星的高管表示，正因為有V-NAND的存在，才使得NAND的歷史能夠得以延續，這是韓國國家創造技術和生態系統的成功事例之一。他們還認為，要推動1000層的NAND技術，就像建設摩天大樓一樣，需要考慮坍塌、彎曲、斷裂等多方面的穩定性問題，同時還需要克服連接孔加工工藝、最小化電池干擾、縮短層高以及擴大每層存儲容量等挑戰。

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